Zaffiro di machinazione di precisione persunalizata in fabbrica

Sapphire Sapphire di Lavorazione di Precisione Personalizzata in fabbrica

Breve descrizzione:

Materiale: Zaffiro
Culore: Trasparente Clear
Specificazione: persunalizazione
Imballaggio: Scatola di carta

Detail di u produttu

Tags di u produttu

Sapphire hà una durezza di Mohs 9, secondu solu à u diamante, è hà una bona resistenza à l'usura. À u listessu tempu, hà una stabilità chimica eccellente è pò resiste à a corrosione di quasi tutti i sustanzi acidi è alkali. Inoltre, a resistenza massima di a temperatura di u zaffiro hè 2060 ℃. A causa di i vantaghji di sopra di u zaffiro, u zaffiro hè utilizatu in strumenti è equipaghji, chì ponu migliurà significativamente a vita di serviziu è sustene diversi ambienti duri.
I pezzi di precisione di Sapphire sò spessu esigenze cumplessi di forma è esigenze precise di sigillatura. Pudemu persunalizà diverse forme secondu i disegni di i clienti. Avemu equipaggiu di taglio, sgrossatura, lucidatura è teste di precisione per assicurà chì ogni pruduttu risponde à i stretti requisiti di i clienti.

Principali metudi di furmazione

Pruprietà materiale

U zaffiro hè un ossidu d'aluminiu di cristallu unicu (Al2O3). Hè unu di i materiali più duru. Sapphire hà boni caratteristiche di trasmissione sopra u visibile, è vicinu à u spettru IR. Presenta una alta forza meccanica, resistenza chimica, conduttività termica è stabilità termica. Hè spessu usata cum'è materiali di finestra in un campu specificu cum'è a tecnulugia spaziale induve a resistenza à i scratch o à alta temperatura hè necessaria.

Formula Molecular	Al₂O₃
Densità	3,95-4,1 g/cm³
Struttura cristallina	Lattice esagonale
Struttura cristallina	a = 4,758Å, c = 12,991Å
Numeru di molécule in a cellula unità	2
Durezza di Mohs	9
Puntu di fusione	2050 ℃
Puntu di ebollizione	3500 ℃
Espansione termale	5,8×10-6 /K
Calore specificu	0,418 Ws/g/k
Conductibilità termale	25,12 W/m/k (@ 100℃)
Indice di rifrazione	no = 1,768 ne = 1,760
dn/dt	13x10 -6 /K (@633nm)
Trasmittanza	T≈80% (0,3～5 μm)
Custante dielettrica	11,5(∥c), 9,3(⊥c)